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深圳市科明隆电子有限公司
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产品信息
IRFS7530-7P晶体管 IR全新原装 IRFS7530-7P晶体管 IR全新原装 IRFS7530-7P晶体管 IR全新原装 IRFS7530-7P晶体管 IR全新原装 IRFS7530-7P晶体管 IR全新原装
类别分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 单制造商Infineon Technologies系列HEXFET®,StrongIRFET™包装 管件 零件状态Digi-Key 停产FET 类型N 沟道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)240A(Tc)驱动电压( Rds On, Rds On)6V,10V不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)1.4 毫欧 @ 100A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(值)3.7V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)354nC @ 10VVgs(值)±20V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)12960pF @ 25VFET 功能-功率耗散(值)375W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型表面贴装供应商器件封装D2PAK(7-Lead)封装/外壳TO-263-7,D2Pak(6 引线 + 接片)
类别分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 单制造商Infineon Technologies系列HEXFET®,StrongIRFET™包装 管件 零件状态Digi-Key 停产FET 类型N 沟道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)240A(Tc)驱动电压( Rds On, Rds On)6V,10V不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)1.4 毫欧 @ 100A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(值)3.7V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)354nC @ 10VVgs(值)±20V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)12960pF @ 25VFET 功能-功率耗散(值)375W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型表面贴装供应商器件封装D2PAK(7-Lead)封装/外壳TO-263-7,D2Pak(6 引线 + 接片)